忆阻器

忆阻器（memristor）由蔡少棠于 1971 年提出，是继电阻、电容、电感之后的第四种基本无源元件，联系电荷与磁通。本例采用 HP 实验室 2008 年提出的 TiO₂ 线性离子漂移模型：掺杂区宽度随流过的电荷移动，电阻在 Ron 与 Roff 之间变化。断电后状态保持，可用于非易失存储和类脑计算。