NMOS 反相器（MOS 管负载）

集成电路中大电阻占用面积大，因此早期 NMOS 工艺用 MOS 管作负载。增强型负载管栅极接 Vdd 时，源极（输出）只能升到 Vdd − Vt，高电平受损。后来采用阈值为负的耗尽型负载管，可使输出升到满电源电压，这就是 70 年代 NMOS 微处理器（如 8080、Z80）采用的技术。输出低电平取决于两管导通能力之比（比例逻辑）。