三极管开关 / 饱和
NPN 低边开关：按负载电流、最小 β 与过驱动系数计算基极电阻 RB（E24 取小一档），并校验饱和深度、GPIO 输出电流与晶体管功耗。
电路原理图
输入参数
计算结果
点按结果可复制数值；支持输入 4.7k、100n、2u2 等工程写法
计算公式
IC = (VCC − VCE(sat)) / RC
IB = k · IC/βmin （或强制 β：IB = IC/10）
RB = (VIN − VBE(sat)) / (IB + VBE/RBE)
原理与说明
晶体管做开关时应工作在饱和区：管压降只有 0.1–0.3 V，功耗最小。临界饱和需要 IB = IC/β，但 β 随管子、温度、电流变化很大，因此要按最小 β 计算并乘以 2–5 倍的过驱动系数；另一种常用的保守做法是"强制 β = 10"。
旧版计算器用 RB = (VP − VBE)·β·RC/VP，既没有过驱动余量，也忽略了 VCE(sat) 和下拉电阻的分流，按它选的电阻往往只能让晶体管处在临界饱和状态。
设计要点
- RB 计算值通常不是标准值，取小一档的 E24 值以保证基极电流足够。
- 基极–发射极之间的 RBE（10–100 kΩ）保证输入悬空时可靠截止，并加快关断。
- 负载接在集电极与 VCC 之间（低边开关）；负载需接地时应使用 PNP 或 P-MOSFET 高边开关。
- 负载电流大于几百 mA 或 GPIO 驱动能力不足时，优先选择逻辑电平 N-MOSFET，栅极无需持续电流。