动态 RAM 存储单元
4 个 1T1C 单元:每位用一只 MOSFET 和一个电容存电荷,需读出放大与刷新。
也可以 下载 LTspice 网表,用 LTspice(File › Open,类型选 Netlists)或 ngspice 运行。
DRAM 每位只需一个晶体管和一个电容,密度远高于 SRAM,是计算机主存的基础。电容电荷会泄漏,因此必须周期性读取并写回(刷新,典型 64 ms 内全部刷新一次)。读出时电容电荷与位线分享,信号很小,需要灵敏放大器判别,并且读操作具有破坏性,读后需回写。
| 位号 | 元件值 / 型号 |
|---|---|
| C1 | 10nF |
| C2 | 10nF |
| C3 | 10nF |
| C4 | 10nF |
| Q1 | |
| Q2 | |
| Q3 | |
| Q4 | |
| U1 | NOT |
| U2 | NOT |
| U3 | AND |
| U4 | AND |
| U5 | AND |
| U6 | AND |
| U7 | OpAmp |
| U8 | ANALOG SW |
| U9 | ANALOG SW |
共 17 个元件,取自 KiCad 原理图。
- KiCad 原理图
dram.kicad_sch - SPICE 网表(LTspice / ngspice)
dram.cir - 原理图大图(SVG)
dram.svg - CircuitJS 电路文件(在新窗口打开仿真)
dram.txt
来源:CircuitJS · GPL-2.0 · 查看原始项目 ↗
电路示例来自 CircuitJS1(© Paul Falstad & Iain Sharp),按 GNU GPL v2 授权;KiCad 原理图由电子森林自动转换生成,中文讲解为电子森林原创。