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电路案例 / 数字逻辑 / 静态 RAM 存储单元

静态 RAM 存储单元

6 管 SRAM 单元:交叉耦合反相器存 1 位,两只访问管由行选择控制读写。

CircuitJS高级时序逻辑Static RAM
静态 RAM 存储单元 KiCad 原理图
KiCad由 CircuitJS 电路自动转换,网表已逐一校验查看大图 ↗

SRAM 单元由两个交叉耦合的 CMOS 反相器(4 管)构成双稳态锁存器,再加两只 NMOS 访问管连接到互补位线。读时位线预充后由单元轻微拉开,写时写驱动器以更强的驱动能力翻转单元。只要有电,数据就能一直保持,无需刷新,速度快,用于 CPU 缓存,但每位占 6 只管子,密度低于 DRAM。

来源:CircuitJS · GPL-2.0 · 查看原始项目 ↗

电路示例来自 CircuitJS1(© Paul Falstad & Iain Sharp),按 GNU GPL v2 授权;KiCad 原理图由电子森林自动转换生成,中文讲解为电子森林原创。