静态 RAM 存储单元
6 管 SRAM 单元:交叉耦合反相器存 1 位,两只访问管由行选择控制读写。
也可以 下载 LTspice 网表,用 LTspice(File › Open,类型选 Netlists)或 ngspice 运行。
SRAM 单元由两个交叉耦合的 CMOS 反相器(4 管)构成双稳态锁存器,再加两只 NMOS 访问管连接到互补位线。读时位线预充后由单元轻微拉开,写时写驱动器以更强的驱动能力翻转单元。只要有电,数据就能一直保持,无需刷新,速度快,用于 CPU 缓存,但每位占 6 只管子,密度低于 DRAM。
| 位号 | 元件值 / 型号 |
|---|---|
| Q1 | |
| Q2 | |
| Q3 | |
| Q4 | |
| Q5 | |
| Q6 | |
| Q7 | |
| Q8 | |
| Q9 | |
| Q10 | |
| Q11 | |
| Q12 | |
| U1 | NOT |
| U2 | NOT |
| U3 | ANALOG SW |
| U4 | ANALOG SW |
共 16 个元件,取自 KiCad 原理图。
- KiCad 原理图
sram.kicad_sch - SPICE 网表(LTspice / ngspice)
sram.cir - 原理图大图(SVG)
sram.svg - CircuitJS 电路文件(在新窗口打开仿真)
sram.txt
来源:CircuitJS · GPL-2.0 · 查看原始项目 ↗
电路示例来自 CircuitJS1(© Paul Falstad & Iain Sharp),按 GNU GPL v2 授权;KiCad 原理图由电子森林自动转换生成,中文讲解为电子森林原创。