忆阻器交叉阵列存储器

交叉阵列（crossbar）中每个行线与列线交叉处放一个忆阻器，结构极简单、密度极高（每单元 4F²）。写入用大幅度电压脉冲，读出用小幅度或高频信号，避免扰动状态。阵列还可直接完成向量-矩阵乘法（欧姆定律乘、基尔霍夫定律加），是存内计算和神经网络加速器的研究热点。潜行电流（sneak path）是其主要挑战。