忆阻器：硬开关 2

激励幅度更大时，忆阻器在正、负半周都能到达边界，从而在高阻态与低阻态之间完整切换。实际器件的开关机制（导电细丝形成与断裂）比线性漂移模型复杂，常用窗函数模型描述边界附近的非线性。