忆阻器：硬开关 1
Roff 降为 12.5 kΩ、5 kHz 正弦驱动，忆阻器到达 Ron 边界，出现硬开关。
线性漂移模型中，掺杂区边界只能在 0 到器件厚度之间移动。激励足够强时边界会撞到端点，电阻被“钳位”在 Ron 或 Roff，称为硬开关。此时器件行为类似开关，这正是忆阻器用作二值存储（RRAM）时希望工作的模式。
| 位号 | 元件值 / 型号 |
|---|---|
| M1 | |
| V1 | 1V 5kHz |
共 2 个元件，取自 KiCad 原理图。
- KiCad 原理图
mr-sine2.kicad_sch - 原理图大图（SVG）
mr-sine2.svg - CircuitJS 电路文件（在新窗口打开仿真）
mr-sine2.txt
来源：CircuitJS · GPL-2.0 · 查看原始项目 ↗
电路示例来自 CircuitJS1（© Paul Falstad & Iain Sharp），按 GNU GPL v2 授权；KiCad 原理图由电子森林自动转换生成，中文讲解为电子森林原创。