N 沟道 MOSFET 特性

MOSFET 是电压控制器件：栅极电压超过阈值电压 Vt 后沟道形成，漏极电流受 Vgs 控制。本例模型 Vt=1.5 V、β=0.02 A/V²。饱和区（Vds ≥ Vgs−Vt）：Id ≈ ½β(Vgs−Vt)²，几乎与 Vds 无关；线性区（Vds < Vgs−Vt）：Id ≈ β[(Vgs−Vt)Vds − Vds²/2]，管子像一个受栅压控制的电阻。理解这两个区是分析 MOS 开关与放大电路的基础。