P 沟道 MOSFET 特性

PMOS 与 NMOS 互补：它在栅极电压低于源极至少一个阈值（|Vgs| > Vt）时导通，空穴从源极流向漏极。所以 PMOS 通常源极接正电源，用作高边开关或 CMOS 电路的上拉管。饱和区电流同样满足 Id ≈ ½β(|Vgs|−Vt)²，只是各电压极性与 NMOS 相反。