隧道二极管伏安特性

隧道二极管的 P、N 区高度掺杂，耗尽层极薄，电子可通过量子隧穿越过势垒。低偏压时隧穿电流随电压增大；电压继续升高，两侧能带错开，隧穿减少，电流下降形成负微分电阻；更高电压后普通扩散电流占主导。由于隧穿过程极快，它曾用于 GHz 级振荡器和高速开关。