二极管 I-V 特性

肖克利二极管方程 I = I_S(e^V/nV_T − 1)：由电流求压降或由电压求电流，考虑串联电阻与温度（V_T、I_S(T)），给出动态电阻、温度系数和 I-V 曲线。内置 1N4148、1N4007、肖特基及各色 LED 参数。

电路原理图

点按结果可复制数值；支持输入 4.7k、100n、2u2 等工程写法

I = I_S · (e^V_j/(n·V_T) − 1)，V = V_j + I·R_S

V_j = n·V_T·ln(1 + I/I_S)，V_T = kT/q ≈ 25.69 mV（25 °C）

I_S(T) = I_S(T₀) · (T/T₀)^XTI/n · e^{(E_g/(n·V_T))·(T/T₀ − 1)}

动态电阻 r_d = dV/dI = n·V_T/(I + I_S) + R_S

温度系数 dV/dT ≈ −(E_g/q + XTI·kT/q − V_j)/T ≈ −2 mV/°C（硅）

PN 结二极管的正向电流随电压指数增长：室温下 n = 1 时电压每增加约 59 mV 电流增大 10 倍。饱和电流 I_S 极小（硅管 fA–nA 级）但对温度极敏感，约每升高 10 °C 翻一番以上，使恒流下的正向压降以约 −2 mV/°C 下降——这正是二极管/三极管测温和带隙基准的原理。