电流镜

电流镜设计：基本两管 BJT 镜（β 误差）、Widlar 小电流源（解超越方程求 R_E 与输出电流）、Wilson 镜，以及 MOSFET 镜（λ 沟道长度调制）。给出参考电阻、输出电阻（Early 效应）与输出电压范围。

电路原理图

点按结果可复制数值；支持输入 4.7k、100n、2u2 等工程写法

基本镜：I_OUT = I_REF / (1 + 2/β)，I_REF = (V_CC − V_BE)/R_ref

　Early 效应：I_OUT ≈ I_OUT0·(1 + (V_CE2 − V_BE)/V_A)，r_o = V_A/I_C

Widlar：V_T·ln(I_C1/I_OUT) = I_OUT·(1+1/β)·R_E，R_out ≈ r_o[1 + g_m(R_E∥r_π)]

Wilson：I_OUT = I_REF·(1 − 2/(β² + 2β + 2))，R_out ≈ β·r_o/2，I_REF = (V_CC − 2V_BE)/R_ref

MOSFET：I_D = ½k′(W/L)V_ov²，I_OUT/I_REF = n·(1 + λV_DS2)/(1 + λV_GS)，r_o = 1/(λI_D)

电流镜利用两只匹配晶体管 V_BE（或 V_GS）相同则电流相同的原理，把参考支路的电流"复制"到输出支路，是模拟 IC 中偏置、有源负载和差分对尾电流的基本单元。

基本镜：两管基极电流使输出偏小 2/β；输出电阻只有 r_o，输出端电压变化会通过 Early 效应改变电流。
Widlar：输出管发射极串 R_E，两管 V_BE 差 = I_OUTR_E，可用几 kΩ 电阻得到 µA 级电流（基本镜需要数百 kΩ），输出电阻也大大提高。R_E 已知求 I_OUT 是超越方程，本工具用牛顿迭代求解。
Wilson：三管负反馈结构，β 误差降为 2/β² 量级，输出电阻约 βr_o/2。
MOSFET 镜：无栅极电流，误差主要来自沟道长度调制 λ；镜像比由宽长比设定。

分立元件搭建时务必使用对管（同一封装内的双管）并保持热耦合。实时仿真中 BJT 模型没有 Early 效应、MOSFET 模型 λ = 0，因此仿真电流对应"不计 Early/λ"的计算值。