JFET 源极跟随器偏置
N 沟道 JFET 自偏置源极跟随器：由 IDSS、VP 和期望的 ID 或 VGS 求源极电阻 RS（E24），并给出跨导、电压增益、输出阻抗与摆幅余量。
电路原理图
输入参数
计算结果
点按结果可复制数值；支持输入 4.7k、100n、2u2 等工程写法
计算公式
ID = IDSS·(1 − VGS/VP)2，VGS = VP·(1 − √(ID/IDSS))
RS = −VGS / ID（自偏置：VG = 0，VS = IDRS）
gm = (2IDSS/|VP|)·(1 − VGS/VP)
Av = gmRS′ / (1 + gmRS′)，RS′ = RS∥RL；Zout = RS ∥ 1/gm
原理与说明
源极跟随器（共漏放大器）输入阻抗极高（由 RG 决定，可达数 MΩ）、输出阻抗低、电压增益略小于 1，常用作高阻传感器、压电拾音器、示波器探头前端的缓冲级。
自偏置时栅极经 RG 接地（VG = 0），漏极电流在 RS 上产生的压降使源极高于栅极，从而 VGS = −IDRS 为负，自动建立工作点。由于 RS 越大 VGS 越负、ID 越小，这种负反馈使工作点对管子参数离散有一定的稳定作用。
设计要点
- 工作点通常选 ID ≈ (0.2–0.5)·IDSS，兼顾 gm 与摆幅。
- 输入耦合电容 C1 与 RG 构成高通：fL = 1/(2π·RG·C1)。
- 常用型号：2N5457/MMBF5457、J201、BF245、2SK208；2SK30A 等已停产。